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飞行时间二次离子质谱IONTOF TOF-SIMS M6

发布时间:2022-06-26     浏览量:


飞行时间二次离子质谱IONTOF TOF-SIMS M6


仪器介绍

飞行时间二次离子质谱仪,是使用一次脉冲离子轰击固体材料表面,通过测定表面被激发出的二次离子的质荷比可精确确定样品表面的组分构成,配合样品表面的扫描和剥离,可以得到样品表面及三维的成分分布图。TOF SIMS可用以表面下范围在2nm以内的最表层分析,能检测出包括氢(H) 在内的所有元素及其同位素,对所有元素具有极高的检测灵敏度(ppmppb,因元素而异) ,可检测痕量杂质;能测定从表面到深至数十um的微量元素及化合物浓度分布;能观测各种元素及化合物的1D、2D、3D分布,具有很高的空间分辨率(<50nm);能分析绝缘材料;能鉴定有机化合物分子,对有机材料结构分析有独特的能力,适于分析大分子、超高分子量有机化合物,并能测定分子量;能取得单分子层表面结构信息。


应用范围:

广泛应用于半导体、高分子材料、电池极片、催化剂、钙钛矿、生物组织、药品等材料的检测。


放置位置:能源基础楼101室

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